Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BCR 135T E6327
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BCR 135T E6327-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 MHz 250 mW Surface Mount PG-SC75-3D
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12802207
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BCR 135T E6327 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
10 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - переход
150 MHz
Мощность - Макс
250 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-75, SOT-416
Комплект устройства поставщика
PG-SC75-3D
Базовый номер продукта
BCR 135
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BCR 135T E6327
HTML Спецификация
BCR 135T E6327-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
BCR 135T E6327-DG
SP000012802
BCR135TE6327
BCR135TE6327XT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Альтернативные модели
Номер детали
SDTC114YET1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
69425
Номер части
SDTC114YET1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
DTC114YETL
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
18551
Номер части
DTC114YETL-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.04
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
MUN2214T3G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
MUN2214T3G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.01
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
MUN2214T1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
20089
Номер части
MUN2214T1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
MMUN2214LT1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
90855
Номер части
MMUN2214LT1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.01
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BCR 119 E6433
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
BCR191WE6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
BCR 101L3 E6327
TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3
BCR 183 B6327
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23